Samsung wraca na szczyt. Producent odzyskuje pozycję lidera na rynku pamięci DRAM
Samsung oficjalnie odzyskał pierwsze miejsce w branży pamięci DRAM, detronizując swojego głównego rywala, firmę SK hynix. Zgodnie z najnowszym raportem analitycznym agencji Omdia, udziały rynkowe Samsunga wzrosły do 36,6 procent. W tym samym czasie SK hynix odnotowało spadek do poziomu 32,9 procent, a trzeci liczący się gracz, Micron, kontroluje obecnie zaledwie 22,9 procent rynku.
Kluczowym czynnikiem, który pozwolił na odrobienie strat z poprzednich kwartałów, była agresywna i skuteczna restrukturyzacja działu odpowiedzialnego za pamięci o wysokiej przepustowości. Przedsiębiorstwu udało się zabezpieczyć strategiczne kontrakty na dostawy modułów HBM3E dla wiodących projektantów układów scalonych, w tym firm NVIDIA oraz AMD. Producent zajął również dogodną pozycję wyjściową przed nadchodzącą generacją pamięci HBM4, która została już uwzględniona w planach sprzętowych dla infrastruktury NVIDIA Vera Rubin.
Sukces w segmencie specjalistycznym idzie w parze z bardzo dobrymi wynikami na rynku standardowych pamięci ogólnego przeznaczenia. Pamięci operacyjne DDR5, LPDDR oraz SOCAMM cieszą się rosnącym popytem ze strony operatorów największych centrów danych. Potężne moce przerobowe fabryk pozwalają na sprawną realizację ogromnych zamówień korporacyjnych, co zdaniem analityków zwiastuje dalsze umacnianie się pozycji lidera w trakcie 2026 roku.
Triumf koreańskiego przedsiębiorstwa przypada na niezwykle trudny i burzliwy okres dla całej branży. Rynek zmaga się z bezprecedensowym kryzysem podażowym, który w ostatnich tygodniach mocno uderza w portfele konsumentów. Sytuacja, o czym wiele razy wspominaliśmy, wynika z masowego przenoszenia wafli krzemowych i przepustowości fabryk z tradycyjnych układów DRAM na droższe kości HBM, które są absolutnie niezbędne do obsługi sztucznej inteligencji. Na ten moment próżno szukać oznak realnej poprawy sytuacji, a rynkowi eksperci prognozują, że ewentualny powrót do stabilności cenowej nastąpi najwcześniej na przełomie 2027 i 2028 roku.