Samsung ujawnia HBM4E - pamięć nowej generacji z kosmiczną, aż 2,5-krotnie szybszą przepustowością
Samsung zaprezentował kolejną generację swojej ultraszybkiej pamięci dla centrów danych i akceleratorów AI. Podczas Open Compute Project Global Summit koreański gigant ogłosił szczegóły dotyczące HBM4 i HBM4E, które wprowadzą ogromny skok wydajności względem dotychczasowych rozwiązań.
Według zaprezentowanych danych, HBM4E osiągnie prędkość do 13 Gbps na pin, co przekłada się na przepustowość 3,25 TB/s na jeden stos pamięci - to niemal 2,5 razy więcej niż w HBM3E. Co równie istotne, nowy standard ma oferować niemal dwukrotnie wyższą efektywność energetyczną, co jest kluczowe w zastosowaniach AI i HPC (High-Performance Computing).
Samsung podkreśla, że HBM4E zostało zaprojektowane z myślą o architekturach nowej generacji, takich jak NVIDIA Rubin, a proces technologiczny oparty na 4 nm umożliwia jeszcze lepszą kontrolę kosztów i marż dzięki produkcji we własnych fabrykach. Źródła z Korei wskazują, że firma planuje bardzo agresywną politykę cenową, by wzmocnić swoją pozycję wobec konkurencji – SK hynix i Microna.
Równolegle trwają prace nad standardowym HBM4, który ma osiągać prędkość 11 Gbps na pin - już powyżej limitów ustalonych przez organizację JEDEC. Oficjalny debiut HBM4 i HBM4E spodziewany jest na początek 2026 roku, kiedy rozpocznie się ich masowa produkcja na potrzeby nowej generacji układów AI i GPU.
