SK hynix rozpoczyna masową produkcję pamięci HBM4. Przepustowość 10 Gb/s i 40% lepsza wydajność energetyczna
SK hynix oficjalnie zakończyło prace nad pamięcią HBM4 i poinformowało o uruchomieniu pełnej produkcji nowej generacji układów przeznaczonych dla najbardziej wymagających zastosowań w AI i centrach danych. To kolejny krok, który ma umocnić pozycję koreańskiego producenta jako lidera w segmencie pamięci dla sztucznej inteligencji.
Nowe moduły HBM4 oferują przepustowość przekraczającą 10 Gb/s - znacznie powyżej standardu JEDEC (8 Gb/s) - oraz ponad 40% lepszą efektywność energetyczną względem poprzedniej generacji. Stało się to możliwe dzięki podwojeniu liczby linii I/O do 2048, co pozwoliło podwoić przepustowość i ograniczyć ryzyko wąskich gardeł przy przetwarzaniu ogromnych ilości danych.
Według szacunków SK hynix, zastosowanie HBM4 w infrastrukturze AI może poprawić wydajność usług nawet o 69%, a jednocześnie znacząco zmniejszyć koszty energii w data center.
W produkcji zastosowano sprawdzony proces Advanced MR-MUF oraz technologię 1bnm (piąta generacja litografii 10 nm), co ma minimalizować ryzyko problemów w skalowaniu na dużą skalę.
Zakończenie rozwoju HBM4 to nowy kamień milowy dla całej branży” – powiedział Joohwan Cho, szef działu HBM w SK hynix. – „Dzięki dostarczeniu produktów spełniających potrzeby klientów w zakresie wydajności, efektywności energetycznej i niezawodności, utrzymamy naszą konkurencyjną pozycję na rynku AI.
Firma podkreśla, że HBM4 to „symboliczny punkt zwrotny” w rozwoju infrastruktury sztucznej inteligencji i fundament do budowy pełnego ekosystemu pamięci AI, obejmującego produkty o zróżnicowanej wydajności i najwyższej jakości.
