Snapdragon 8 Elite Gen 5 zaoferuje duży wzrost wydajności, ale zawiedzie w innym aspekcie
Qualcomm przygotowuje się do prezentacji odświeżonej wersji swojego flagowego układu. Snapdragon 8 Elite Gen 5, który ma zadebiutować już 23 września, według najnowszych przecieków podwoi wydajność względem Snapdragona 8 Elite, ale… jego zapotrzebowanie na energię pozostanie na tym samym poziomie.
Według źródeł z Weibo (Digital Chat Station) powodem braku poprawy w efektywności energetycznej jest zastosowanie ulepszonego procesu litograficznego TSMC N3P (3. generacja 3 nm). To jedynie tzw. „optyczne zmniejszenie”, które zapewnia około 5% wzrostu wydajności przy tym samym poborze mocy, ewentualnie 5–10% oszczędności baterii przy zachowaniu identycznych zegarów. Qualcomm jednak postawił na podniesienie taktowania zarówno rdzeni wydajnościowych, jak i energooszczędnych – stąd brak realnej poprawy w konsumpcji energii.
Co ciekawe, nawet testowany wariant Snapdragona 8 Elite Gen 5 z obniżonym taktowaniem (4,0 GHz zamiast 4,74 GHz na Galaxy S26 Edge) osiągnął lepsze wyniki w testach jedno- i wielordzeniowych niż obecny Snapdragon 8 Elite. To pokazuje, że układ ma ogromny zapas mocy, który Qualcomm będzie chciał wykorzystać w pełni.
Na szczęście producenci smartfonów coraz chętniej sięgają po nowe rozwiązania akumulatorowe, takie jak ogniwa krzemowo-węglowe, które pozwalają stosować większe baterie przy zachowaniu rozsądnych rozmiarów urządzeń. Dzięki temu nawet przy pełnym wykorzystaniu potencjału Snapdragona 8 Elite Gen 5 czas pracy na jednym ładowaniu nie powinien dramatycznie ucierpieć.
