SK Hynix ma powody do obaw. Samsung osiągnął przełomowy wynik w pogoni za rynkiem pamięci
Samsung odnotował znaczący postęp w produkcji pamięci HBM4 nowej generacji, osiągając uzysk produkcyjny na poziomie bliskim 80%. W branży półprzewodników wynik ten określany jest mianem tzw. „złotego uzysku”.
Gdy firma rozpoczynała masową produkcję tych modułów w lutym bieżącego roku, wskaźnik ten wynosił poniżej 60%. Przyspieszenie prac i optymalizacja procesów technologicznych pozwoliły jednak zrealizować cel zakładany pierwotnie na koniec roku ze znacznym wyprzedzeniem.
Osiągnięty rezultat istotnie wzmacnia pozycję Samsunga w rywalizacji o segment pamięci przeznaczonych do obliczeń sztucznej inteligencji, w którym silną pozycję rynkową utrzymuje SK Hynix. Pamięci HBM4 koreańskiego producenta bazują na procesie technologicznym DRAM klasy 10 nm oraz 4-nanometrowej warstwie logicznej.
Moduły składające się z 12 warstw (12-Hi) oferują do 36 GB pojemności na pojedynczy stos przy przepustowości sięgającej 3,3 TB/s. W porównaniu z poprzednią generacją HBM3E nowa konstrukcja charakteryzuje się o 40% wyższą efektywnością energetyczną oraz usprawnionym odprowadzaniem ciepła.
Pamięci HBM4 Samsunga zostały już wykorzystane przez firmę AMD w akceleratorach z serii Instinct MI400, w tym w modelach MI455X dedykowanych dla centrów danych AI. Równolegle Samsung prowadzi prace nad wariantem HBM4E, w przypadku którego wskaźnik uzysku w testach niezawodności sięgnął 70%.
Moduły HBM4E mają oferować do 48 GB pojemności na stos oraz przepustowość rzędu 4 TB/s. Producent liczy na to, że rosnące uzyski produkcyjne pozwolą mu w przyszłości pozyskać zamówienia na dostawy pamięci dla układów NVIDIA Rubin Ultra oraz kolejnej generacji akceleratorów AMD MI500.
