Intel wypowiada wojnę HBM? Prototyp pamięci ZAM obiecuje 512 GB na kość i koniec problemów z przegrzewaniem
Podczas wydarzenia Intel Connection Japan 2026, firma oficjalnie zaprezentowała fizyczny prototyp pamięci Z-Angle Memory (ZAM). Opracowana we współpracy ze spółką zależną SoftBanku - Saimemory - technologia ma ambicję, by zdetronizować obecny standard HBM, oferując rozwiązanie problemów termicznych, które dławią współczesne akceleratory AI.
Choć Intel od dekad nie był kojarzony z rynkiem pamięci operacyjnej (poza krótkim romansem z Optane), obecność Joshuy Frymana (CTO Intel Government Technologies) oraz Makoto Onho (CEO Intel Japan) na prezentacji sugeruje, że firma traktuje ten powrót śmiertelnie poważnie. ZAM ma być odpowiedzią na rosnące zapotrzebowanie na pamięć o wysokiej przepustowości, która nie zamienia serwerowni w piekarnik.
Główną innowacją, którą chwali się Intel, jest unikalna architektura Z-Angle. W przeciwieństwie do pamięci HBM, gdzie połączenia (TSV) biegną pionowo w dół przez cały stos krzemowy, ZAM wykorzystuje kaskadową, ukośną topologię połączeń wewnątrz stosu.
To z pozoru drobne inżynieryjne przesunięcie ma drastyczne implikacje dla kultury pracy układów:
- Rewolucja termiczna: ukośne prowadzenie ścieżek pozwala na efektywniejsze odprowadzanie ciepła z wnętrza modułu, co jest piętą achillesową gęsto upakowanych stosów HBM.
- Prostsza produkcja: Intel twierdzi, że nowa architektura upraszcza proces wytwórczy, co może przełożyć się na lepszą dostępność i niższe koszty.
Jeśli deklaracje z japońskiej konferencji znajdą pokrycie w rzeczywistości, Samsung i SK hynix mają powody do niepokoju. Intel obiecuje, że pamięci ZAM zaoferują o 40-50% niższe zużycie energii w porównaniu do obecnych rozwiązań. Jeszcze większe wrażenie robi gęstość zapisu - technologia ta ma pozwalać na upakowanie nawet 512 GB pamięci w jednym układzie.
Na ten moment rola Intela w projekcie ZAM ogranicza się, według materiałów marketingowych, do "inwestycji początkowych i decyzji strategicznych". Nie zmienia to jednak faktu, że w obliczu globalnego głodu na pamięć do AI, pojawienie się alternatywy dla HBM, która jest chłodniejsza i pojemniejsza, może wkrótce wywrócić stolik, przy którym siedzą obecni liderzy rynku DRAM.
