SK Hynix rusza z masową produkcją 321-warstwowej pamięci QLC NAND – nadchodzi rewolucja w SSD

SK Hynix ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji nowego rozwiązania pamięciowego – 321-warstwowej QLC NAND Flash o pojemności 2 Tb, czyli pierwszej na świecie implementacji technologii QLC przekraczającej barierę 300 warstw. To ogromny krok naprzód w gęstości upakowania pamięci i wydajności, który w najbliższych miesiącach trafi do komputerów osobistych, a później także do serwerów AI i smartfonów.

Firma podkreśla, że nowa pamięć NAND nie tylko zwiększa pojemności dysków SSD, ale również znacząco poprawia parametry wydajnościowe. Dzięki zwiększeniu liczby tzw. „planes” (jednostek operacyjnych wewnątrz układu) z 4 do 6, układ może wykonywać więcej operacji równolegle, co przekłada się na realne korzyści:

• 2x szybszy transfer danych względem poprzednich generacji QLC,
• do 56% lepsza wydajność zapisu,
• o 18% szybszy odczyt,
• ponad 23% wyższa efektywność energetyczna zapisu, co ma ogromne znaczenie dla centrów danych i serwerów AI, gdzie liczy się niskie zużycie energii.

Rozpoczęcie masowej produkcji pozwala nam znacząco wzmocnić portfolio produktów wysokiej pojemności i zapewnić konkurencyjność cenową. To dla nas krok milowy w drodze do pozycji pełnego dostawcy pamięci dla AI – powiedział Jeong Woopyo, szef działu rozwoju NAND w SK Hynix.

Nowa pamięć została zaprojektowana w oparciu o technologię 32DP (32-die stacking), pozwalającą układać do 32 układów NAND w jednym pakiecie. Dzięki temu SK Hynix będzie w stanie zaoferować nośniki eSSD o ultrawysokiej pojemności, niezbędne w erze generatywnej sztucznej inteligencji i gigantycznych baz danych. Pierwsze zastosowania nowej technologii zobaczymy w SSD do PC, ale producent zapowiada, że w kolejnym etapie pamięci 321L QLC trafią do enterprise SSD dla centrów danych oraz do UFS w smartfonach.