Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Nadchodzące smartfony będą dużo szybsze

Samsung zaprezentował pamięć UFS 5.0, która znacząco usprawni lokalne przetwarzanie procesów sztucznej inteligencji na urządzeniach mobilnych. Nowe rozwiązanie charakteryzuje się parametrami odczytu i zapisu ponaddwukrotnie wyższymi w porównaniu do standardu UFS 4.1.

Zgodnie z oficjalnymi informacjami producenta, pamięć UFS 5.0 integruje standard interfejsu wbudowanego organizacji JEDEC. Przekłada się to na przepustowość sięgającą 10,8 GB/s w przypadku odczytu sekwencyjnego oraz 9,5 GB/s dla zapisu sekwencyjnego. Takie wartości bezpośrednio zbliżają się do maksymalnych osiągów pamięci operacyjnej LPDDR5X. Wysoka przepustowość umożliwia znacznie szybsze operowanie na obszernych pakietach danych, co stanowi kluczowy warunek do sprawnego działania skomplikowanych modeli sztucznej inteligencji bezpośrednio na telefonie.

Wdrożono również konkretne usprawnienia w zakresie zarządzania energią. Architektura UFS 5.0 jest o 40% bardziej energooszczędna od poprzedniej generacji. Osiągnięto to dzięki implementacji innowacji takich jak bramkowanie sygnału zegarowego oraz zastosowanie technologii wielonapięciowych. Cały komponent został zamknięty w kompaktowej obudowie o wymiarach 7,5 na 13 na 0,9 mm, co oznacza redukcję rozmiaru o 16,7% względem poprzednika. Rozpoczęcie masowej produkcji modułów o pojemności sięgającej do 1 TB zaplanowano na czwarty kwartał 2026 roku.

Nieoficjalne informacje wskazują już pierwsze urządzenia gotowe na nową technologię. Zgodnie z przeciekami, nowy standard pamięci od Samsunga będzie obsługiwany przez nadchodzące układy Qualcomm o nazwach kodowych SM8975 oraz SM8950, które trafią na rynek jako Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro i Snapdragon 8 Elite Gen 6. Spodziewana jest również pełna kompatybilność z flagowymi jednostkami MediaTek Dimensity 9600 Pro oraz autorskim modelem Samsung Exynos 2700.