Pamięć DRAM jest dziś droższa od składowych wafla TSMC w 2 nm. Rynek kompletnie się odwrócił

Rynek pamięci znalazł się w bardzo nietypowym miejscu. Według najnowszych wyliczeń 1 mm² nowoczesnej pamięci 1b DRAM ma dziś większą wartość sprzedażową niż 1 mm² wafla produkowanego w zaawansowanym procesie 2 nm TSMC. Różnica sięga około 54%.

Dane pochodzą z analizy Kernel Insight. Firma przyjęła, że 300-milimetrowy wafel TSMC N2 kosztuje około 30000 dolarów, co daje około 0,424 dolara za mm². Dla porównania N3 wyceniono na około 20000 dolarów za wafel, czyli 0,283 dolara za mm². W przypadku 1b DRAM sytuacja wygląda jeszcze ciekawiej. Gęstość takiej pamięci wynosi około 0,436 Gb/mm², a przy przyjętej cenie 1,50 dolara za gigabit daje to 0,654 dolara za mm². To około 54% więcej niż w przypadku N2 TSMC. 

Tutaj warto doprecyzować jedną rzecz: nie oznacza to, że DRAM jest droższy w produkcji od całego wafla TSMC wykonanego w 2 nm. Porównywane są dwa różne wskaźniki. Dla TSMC mówimy o cenie wafla pobieranej od klienta, natomiast dla DRAM o potencjalnej wartości sprzedażowej pamięci uzyskanej z danego obszaru krzemu. Sama produkcja DRAM pozostaje znacznie mniej skomplikowana niż zaawansowany proces logiczny N2. Mimo to liczby dobrze pokazują skalę obecnej sytuacji. 16 Gb DDR5 eTT kosztowało 21 września średnio 24,80 dolara, czyli około 1,55 dolara za gigabit. Przyjęte w analizie 1,50 dolara nie jest więc oderwane od aktualnego rynku. 

Co więcej, nawet starsza pamięć 1z DRAM z gęstością 0,273 Gb/mm² osiąga w podobnym przeliczeniu około 0,410 dolara za mm². To praktycznie tyle samo, co 2 nm TSMC. Jeszcze kilka lat temu taki układ sił wyglądałby absurdalnie. Powód jest prosty: popyt na pamięci wystrzelił, a rynek nadal mierzy się z ograniczoną podażą. Rozbudowa infrastruktury AI zwiększyła zapotrzebowanie na DRAM i HBM, a producenci kierują coraz większą część mocy właśnie w stronę najbardziej dochodowych produktów dla centrów danych. To podbija ceny również w pozostałych segmentach. 

Sytuacja niestety nie wróci zbyt szybko do normy. Samsung pracuje już nad kolejną generacją DRAM wykorzystującą technologię "hybrid bonding", gdzie warstwa komórek pamięci i logika sterująca mają powstawać osobno, a następnie być łączone. Taki proces będzie droższy i może dodatkowo podnieść ceny nowych pamięci. Najbardziej wymowne jest jednak samo porównanie. Technologia 2 nm TSMC należy do najbardziej zaawansowanych procesów produkcyjnych na świecie, a mimo to jeden milimetr kwadratowy współczesnego DRAM-u potrafi dziś generować większą wartość. To najlepiej pokazuje, jak mocno boom na AI przewrócił rynek półprzewodników.