Galaxy S26 Ultra z ogromnym skokiem wydajności – nowa pamięć Microna i Snapdragon 8 Elite 2 na pokładzie
Choć premiera serii Samsung Galaxy S26 odbędzie się dopiero w 2026 roku, już teraz pojawiają się przecieki sugerujące poważne zmiany względem obecnego flagowca. Podczas gdy linia S25 stawiała głównie na funkcje AI, S26 Ultra ma przynieść solidne wzmocnienie podzespołów – szczególnie w obszarze pamięci operacyjnej.
Znany informator Ice Universe ujawnił, że Galaxy S26 Ultra otrzyma najnowsze moduły LPDDR5X od Microna, taktowane z prędkością 10,7 Gb/s. To znaczący wzrost względem S25 Ultra, który korzysta z pamięci 9,6 Gb/s. Różnica może wydawać się niewielka w codziennym użytkowaniu, ale przy dużym obciążeniu – np. w grach czy podczas intensywnego multitaskingu – szybsza pamięć przełoży się na stabilniejszą i płynniejszą pracę.
Technologia 1γ (1-gamma) DRAM zastosowana w nowych kościach oferuje wyższą efektywność energetyczną w porównaniu do poprzedniej generacji 1β (1-beta). To oznacza nie tylko lepszą wydajność, ale i mniejsze zużycie energii, co w praktyce może przełożyć się na dłuższy czas pracy na baterii.
Galaxy S26 Ultra 10.7Gbps LPDDR5X
— PhoneArt (@UniverseIce) August 8, 2025
Szybsza pamięć będzie wspierać kolejne rozwiązania AI, które Samsung planuje wdrożyć w 2026 roku. Galaxy S26 Ultra ma być napędzany procesorem Snapdragon 8 Elite 2 – połączenie tych dwóch elementów powinno zapewnić znaczący wzrost mocy obliczeniowej względem poprzednika. Rywalizacja w segmencie smartfonów premium staje się coraz ostrzejsza, a producenci stawiają na szybsze pamięci i lepsze układy magazynowania danych. Samsung chce nie tylko utrzymać tempo, ale też wyznaczyć nowy standard dla wydajności Androida w 2026 roku – łącząc topową moc z lepszą efektywnością energetyczną.
